3.4. La Memoria
     Antes de 'meterle mano' a la memoria RAM es conveniente familiarizarse con algunos conceptos y saber cómo trabaja:

     La memoria RAM es como una matriz o tabla de datos. Los datos (unos o ceros) se dividen en celdas y la posición de cada celda se determina mediante filas y columnas. Cada celda es en realidad un condensador que estando cargado equivale al nivel lógico 1 y estando descargado equivale al nivel lógico 0.

     Para obtener el dato que haya dentro de cada elemento (celda/condensador) se debe conocer la columna (CAS) y la fila (RAS) en que se encuentra. Para que la memoria funcione correctamente, el tiempo que tarden las señales eléctricas en acceder tanto a una fila como a una columna no debe ser inferior a determinados ciclos de reloj. Estos ciclos de reloj son lo que se conoce como timings. Son  función de cada memoria y determinan la calidad y rendimiento de la misma.

· CAS: es la abreviatura de Column Address Strobe. Suele llamarse también CL (CAS Latency) e indica el número de ciclos de reloj necesarios desde que se accede a una columna de la  memoria RAM hasta que los datos llegan al registro de salida. La propia palabra latency ya nos indica que cuanto menor sea este parámetro más rápidamente podrá la memoria acceder a los datos y, por consiguiente, mejor será. Los valores típicos de CAS son 2, 2.5 y 3.

· RAS: abreviatura de Row Address Strobe, es el mismo concepto que CAS pero para las filas en lugar de las columnas.

· Row-active delay es el retardo cuando se direccionan dos filas de datos distintas en un mismo chip de memoria.

· Row-precharge delay es el número de ciclos necesarios para almacenar internamente el valor de RAS.

· Ras-to-CAS delay es el número de ciclos de reloj necesarios desde que se almacena el valor de RAS hasta que se envía el valor de CAS.

     Los factores que más repercuten sobre el rendimiento son CAS,  Ras-To-CAS y Row-precharge delay. Los mejores módulos de memoria permiten unos valores para estos parámetros de 2-2-2.

      Bien, por lo visto hasta ahora podemos deducir que el overclock de la memoria RAM no tiene por qué ir exclusivamente ligado al aumento de su frecuencia: también podemos obtener una mejora sustancial del rendimiento (en torno al 5%,) modificando estas latencias o timings, siempre y cuando nuestra memoria permita apurar los valores por defecto del fabricante.

     No obstante, lo más usual es forzar la velocidad de la memoria para que vaya síncrona con el microprocesador y aumentar el ancho de banda. Para esto nos veremos obligados a incrementar el voltaje de la memoria y los timings. A la hora de comprar un nuevo módulo de memoria RAM es importante que nos fijemos y que tenga un CL cuanto más pequeño mejor (2 es lo mínimo, 2.5 lo normal y 3 es el valor más alto), porque un CL pequeño representa la posibilidad de subir bastantes MHz más.

     ¿Qué es síncrono y asíncrono?
     Existen dos formas en que la RAM puede trabajar: síncrona o asíncrona, en función de si trabaja a la misma frecuencia que el FSB o no. Nuevamente, ésta configuración se determina mediante la BIOS de la placa base:

     Cuando la proporción entre el FSB y la RAM sea de 1 a 1,esto es, 1:1 .... 6:6 (o 100% en algunas placas base), se dice que está en modo síncrono y es cuando más rendimiento obtendremos pues no se producirán 'cuellos de botella' entre microprocesador y memoria: a medida que se vayan accediendo a  los datos de la memoria éstos irán siendo procesados por el microprocesador. Dejaremos la opción del modo asíncrono para cuando no nos quede más remedio, es decir, cuando la memoria RAM no nos permita trabajar a la misma velocidad que el FSB de nuestro microprocesador; para ello seleccionaremos la relación más conveniente FSB/MEM. Así, un factor 5/4 indica que la RAM correrá  a cuatro quintas partes (80%) de lo que lo hace el FSB.

     Por ejemplo, si encontramos que el límite de nuestras memorias es de 450MHz y tenemos un FSB 'equivalente' de 500MHz (para un Athlon XP sería un FSB de 500MHz, para un P4 sería de 1GHz, de ahí lo de equivalente) lo más sensato sería:

     - microprocesadores con el multiplicador liberado: disminuir el FSB hasta 450MHz y aumentar el multiplicador de manera que la frecuencia resultante sea aproximadamente la misma pero en modo síncrono.

     - microprocesadores con multiplicador bloqueado: seleccionar un ratio que deje la memoria lo más cercana posible a 450MHz pero sin sobrepasarla. En el caso de disponer de la placa base de arriba seleccionaríamos el valor 6/5 (83.3%), que daría una frecuencia resultante para la memoria RAM de 417MHz. En otras placas base, cifras como 10/9  (90%) nos permitirían tener la memoria a exactamente 450MHz.

     La metodología para overclockear la memoria RAM es muy parecida a la del microprocesador: iremos incrementando la frecuencia de la misma hasta que dé algún error,  momento en que aumentaremos su voltaje y/o timings. Si tras aumentar el voltaje el margen que consideremos prudente (no recomiendo más de 2.8V) y haber subido los timings considerablemente (el tope aconsejable podría estar en 3-4-4-11) la memoria sigue siendo inestable, entonces hemos llegado a su límite y es el momento de disminuir poco a poco su frecuencia hasta que sea estable con esa misma configuración. Para calificar de estable una memoria se recomienda pasar el MemTest al encender el ordenador (para ello se ha de crear un disquet de inicio desde Windows con el mismo programa.

     ¿Cómo saber si el PC es estable? Cargamos el sistema operativo y sometemos al microprocesador a una serie de benchmarks (programas que miden el rendimiento de los componentes), tanto para evaluar su nuevo rendimiento como para asegurarnos que no se cuelga al ser 'exprimido' al 100%.  La aplicación Prime95 es la más exigente de todas y si el PC es capaz de ejecutar este programa durante unas cuantas horas, entonces es estable a prueba de bombas. Encontraréis las aplicaciones más utilizadas en la sección programas de H12V.

Voltajes

Conclusiones